内存的容错设置在哪里 (内存的容错设计是怎样的-内存容量比你看到的更大！)

文章编号：8928 更新时间：2024-02-20 分类：互联网资讯 阅读次数：次

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假设生存经历足够丰盛，你就会缓缓地懂得这个环球上没有什么是白璧无瑕的。年轻时看病总是宿愿根治，以为可以治好，满血复生。痴长了几岁后在医生那里开局听到了不太影响生存这样的句子，渐渐地对慢性疾病也变得云淡风轻起来，尝试与生存中那些不完美敌对共处。人生观也扭转了许多，对那些号称美妙而无瑕疵的物品常抱有疑心的态度，Toogoodtobetrue。雷同情理，芯片制造行业也是一个和不完美打交道的行业，且不说工程师人为引入的各种配件软件bug，单单从芯片消费的源头来讲，缺点就曾经深埋其中了。

由高污浊单晶硅做进去圆柱体的硅锭自身就自带缺点：

硅锭在切片后获取元晶圆人造有疑问：

这些缺点就像撒芝麻粒，散布在整个Wafer上：

缺点治理是芯片设计和消费必定解决的关键疑问。

由Wafer消费进去的CPU中，咱们可以在封测阶段关掉不好的内核或许配置：

由Wafer消费的Flash产品中，咱们可以提供冗余：

在内存设计和消费环节中，怎样解决缺点呢？其实还是提供冗余。上方咱们就从封测阶段和经常使用阶段区分来讲一下各自用到的技术。

封测阶段

和Flash一样，DRAM内存颗粒在制造的时刻也领有多余的行，和相关的Fuse线路：

和大少数半导体设施一样，内存颗粒的牢靠性咱们可以经差错效率来权衡。假设咱们以时期为x轴，y轴为失效率。失效率曲线如下：

失效率曲线

综合上方三种曲线，综合失效率是紫色曲线，它出现两边高，两边低的特色，状态像个浴缸，咱们把它叫做浴缸曲线（Bathtub）模型。内存颗粒在生命周期中的这种特点，表如今开局时缺点率很高，假设没有疑问，则可以稳固上班很久，到最后开局老化失效，缺点率急剧升高。

内存颗粒在成产完结后，在封测时期，会被放入高温的环境下洗个澡（heatsoaking），并加上低压。这样几个小时就相当于过了好几周。再拿进去测试，这时颗粒曾经进入了浴缸曲线的底部稳固期。这个工序叫做老化（Burn-in）。如图：

这时测试，发现有坏的行（Row），就用备份的单元整个Row换掉，同时更改行解码的逻辑。这个环节叫做Fuse。假设坏行太多，整个颗粒就报废了。

Fuse是一次性性的，变卦后，用户没有方法再次更改映射相关。Fuse完结后，颗粒就可以出厂了，用户也不会有任何影响。

如今疑问来了，假设颗粒很好，备份的空间齐全没有用上，是不是咱们可以把它们作为更多的内存自己来用呢，就像标称8Gb，实践可以用8.1Gb呢？答案是不行的，至于为什么，大家可以回去思索一下，也可以在评论区相互探讨。

既然无法以废物应用，这个空间糜费了好惋惜啊，有没有别的方法可以用到它们呢？方法还是有的。

运转阶段

Believemeornot，内存缺点在主机缺点中占比十分大：

内存的单元Cell出错后，有时可以被ECC等级制纠正，有时并不行。无论结果如何，操作系统都会原告知：

开局的时刻只要一般cell出错，缓缓它左近的cell也开局出错。滴水会分解小溪，溪流会聚成江河，频繁的出差，即使是可以纠正的出错，也会重大影响性能。而无法以纠正的出错，或许会形成主机宕机，对团体用户来说就是蓝屏了：

以前内存Cell损坏，整根内存条只要报废了。痴呆的工程师把眼光瞄准了冗余的内存单元，提出一种叫做PostPacakgeRepair（PPR）的技术，也叫做FailRowAddressRepair。望文生义，所谓PostPackage，就是封装后还可以修复，可以把损坏的局部行Row，用冗余的行替代。它分为软PPR和硬PPR，区别在于能否更改Fuse而变成终身性的交流。这样咱们在经常使用中也可以变费为宝，延伸DRAM的经常使用时期，太棒了！

虽然PPR技术只出如今LPDDR4的规范中，不在DDR4的JEDEC规范中，但简直一切干流内存颗粒厂商都在一般的DDR4中，允许了这个配置。当然最终主板允许与否，要依赖不同厂家的BIOS，准确的来说就是内存初始化代码。